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‘博亚体育app’三星48层3DV-NAND快闪存储器拆解分析

  • 产品时间:2021-09-03 00:09
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简要描述:备受瞩目的三星48层V-NAND3D快闪记忆体早已经常出现在市场上了,TechInsights的报废团队总算等到了大好机会先睹为快。 三星(Samsung)早在2015年8月就公布其256Gb的3位元多级单元(MLC)3DV-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并特别强调将用作各种固态硬碟(SSD),也预计不会在2016年初月上市。这些允诺如今知道构建了,我们以求在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中找到其踪影(如图1)。...

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本文摘要:备受瞩目的三星48层V-NAND3D快闪记忆体早已经常出现在市场上了,TechInsights的报废团队总算等到了大好机会先睹为快。 三星(Samsung)早在2015年8月就公布其256Gb的3位元多级单元(MLC)3DV-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并特别强调将用作各种固态硬碟(SSD),也预计不会在2016年初月上市。这些允诺如今知道构建了,我们以求在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中找到其踪影(如图1)。

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备受瞩目的三星48层V-NAND3D快闪记忆体早已经常出现在市场上了,TechInsights的报废团队总算等到了大好机会先睹为快。  三星(Samsung)早在2015年8月就公布其256Gb的3位元多级单元(MLC)3DV-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并特别强调将用作各种固态硬碟(SSD),也预计不会在2016年初月上市。这些允诺如今知道构建了,我们以求在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中找到其踪影(如图1)。

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  图1:三星T32TBSSD  根据TechInsights的报废,我们在这个SSD上找到了含有4个0.5TB容量K9DUB8S7MPCB的双面电路板(如图2)。每一PCB中包括的就是我们于是以想要探寻的16个48LV-NAND晶粒。    图2:三星T3系列2TBSSD正面和背面电路板  图3表明这16颗晶粒互相填充以及使用传统线键通技术相连的PCB横截面。

这些晶片的厚度仅有40um,无非令人眼睛为之一暗,这也许是我们所见过的PCB中最厚的晶片了。相形之下,我们在2014年报废三星32LN-NAND中的晶粒大约为110um,PCB大约填充4个晶片的高度。

  我们还看完其它较薄的记忆体晶片,还包括海力士(Hynix)用作AMD(AMD)R9FuryX绘图卡的HBM1记忆体,厚度大约为50um,以及在三星以矽穿孔(TSV)点对点4个填充晶片的DDR4,其中有些DRAM晶粒的厚度大约为55um。  因此,40um知道是超薄!而且有可能迫近于300mm直径晶圆在需要用于支撑晶圆(carrierwafer)所能构建的最厚无限大。

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这觉得令人印象深刻印象。    图3:16个互相填充的三星48LV-NAND  图4表明其中的一个256Gb晶粒,传输了2个5.9mmx5.9mm的较小NAND快闪记忆体组(bank)。

我们可以将整个晶片区域区分为约2,600Mb/mm2的记忆体大小,计算出来出有记忆体密度总量。相形之下,三星16nm节点的平面NAND快闪记忆体测量大约为740MB/mm2。所以,尽管V-NAND使用较小的制程节点(~21nmvs.16nm),其记忆体密度完全是16nm平面NAND快闪记忆体的3.5倍(闻表格1)。


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